Part 1からPart 5までで検討した内容をこのパートでまとめておきます。
1．ビアを介して層を渡るマイクロストリップラインのSパラメータを良くするためには、層を渡っているビアの近所にグランドビアを打つ。
2．グランドビアも、層を渡っているビアの近傍に2個対称に打つだけでは、Sパラメータ（特にS11とS21）の大きな改善が見られない（Part 3）
3．現在の所、マイクロストリップラインが層を渡るビアの近辺に対称に6個のビアを打った場合が最良の結果を得られる。
でした。
今回シミュレーションしたマイクロストリップラインの構造をまとめておきます。
プリント基板の層構成
第1層：銅箔（t=40um）
誘電体：FR-4（Er=4.5、t=220um、tanδ= .0004）
第2層：銅箔（t=35um）
誘電体：FR-4（Er=4.5、t=930um、tanδ= .0004）
第3層：銅箔（t=35um）
誘電体：FR-4（Er=4.5、t=220um、tanδ= .0004）
第4層：銅箔（t=40um）
第2層：銅箔（t=35um）
誘電体：FR-4（Er=4.5、t=930um、tanδ= .0004）
第3層：銅箔（t=35um）
誘電体：FR-4（Er=4.5、t=220um、tanδ= .0004）
第4層：銅箔（t=40um）
マイクロストリップラインの幅と長さ
幅 W=0.4mm
全長 L=40mm
ビアの直径とスルーホールの直径
ビアの直径 R=0.3mm
スルーホールの直径 r=0.2mm
グランドビアの配置寸法（図1の通り）
図1 最良の結果を得ることができたグランドビアレイアウト（クリックで拡大）
くどいですが、このレイアウトで得られたSパラメータ（S11とS21）を図2の示します。
図2 図1のレイアウトで得られたベストのSパラメーター（クリックして拡大）
ここまでデータがそろったので、次回は実際にこ
の寸法でマイクロストリップラインを作ってみて、S11、S21の実測データがあうかどうか、検証してみたいと思います。
の寸法でマイクロストリップラインを作ってみて、S11、S21の実測データがあうかどうか、検証してみたいと思います。
最後になりましたが、Genesysを使わせていただき、さらに操作上の質問に対しても丁寧に対応していただいた、アジレントテクノロジー様（現：キーサイトテクノロジー様）に深く感謝いたします。
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